片狀厚膜分壓電阻器 (HI83) 系列

片狀厚膜分壓電阻器 (HI83)

分壓網絡 (HI83) 是德銘特電子有限公司新一代厚膜無感片狀分壓電阻器,採取高品質氧化釕電阻材料以 96% 氧化鋁陶瓷做基體,低溫度係數,高導熱性,體積小,可靠性高。可客製化引腳導線端子或無引線導電墊。

德銘特片狀厚膜分壓電阻器 (HI83) 為廣泛的電阻值範圍提供穩定的性能,電壓額定值高達 35K。最大分壓比 1000:1 ( 分壓比大於 1000:1 ,如 2000:1,4000:1,及 5000:1 可應要求提供),最小分壓比為 40:1。

分壓器 (HI83) 的低溫度係數可用於高穩定性電路應用。節省空間的平面封裝為傳統的高壓電阻提供了替代方案。主要應用於精密儀表,驅動電路,電源,變壓器,高壓電力設備,和任何需要在高電壓環境中操作的電器等領域。

片狀厚膜分壓器 (HI83) 的主要構成:端子連接導體和氧化釕電阻材料以無感圖案印刷到 96% 氧化鋁基底的表面上。然後應用絲網印刷保護,然後連接端子。磷青銅焊料塗覆於引線框架終端焊接,浸入 SnAgCu 中,符合以下 IEC 可焊性要求。

德銘特 (HI83) 片狀厚膜精密分壓器,符合 RoHS 和無鉛標準,提供更有競爭力的價格和快速交貨服務。對於規格外的技術要求和特殊的應用,請與德銘特的業務代表聯繫。

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應用注意事項 :
  1. 由於可能出現在端子和任何相鄰金屬部件之間的高電壓,片狀厚膜分壓電阻器應安裝在與其他導體有足夠的距離。
  2. 對於一些超高壓應用,需要將組分浸入油或 SF6 氣體中或將其置於無空隙的矽氧烷化合物中以減少電暈或表面電弧。 絲網印刷保護適用於這些應用。
  3. 片狀厚膜分壓電阻器由高值 R1 和低值 R2 組成。 分壓電阻器的分壓比 Ratio = R2 : (R1 + R2)。
特性 :
  1. 高精度。無感設計。
  2. 高耐壓。阻值範圍寬。
  3. 定制設計服務。符合 RoHS 標準。
應用 :
  1. 脈衝調製器,雷達脈衝形成網絡。
  2. X-ray/顯像設備,和 EMI 閃電抑制。
  3. 電容器的消弧電路,高電壓緩衝電路。
  4. 衝擊電壓發生器。電弧爐阻尼,能源研究。
片狀厚膜分壓器 (HI83) - 組件構成
棒狀高壓電阻 (HI83) 系列
膜材質 (a) 釕系漿料
基材 (b) 95%三氧化二鋁
包封材質 (c) 高溫硅樹脂

片狀分壓電阻器 (HI83) - 尺寸規格 (單位: mm)
尺寸規格片狀分壓電阻器 (HI83) 系列
尺寸規格片狀分壓電阻器 - HI83 系列
分壓網絡電阻(HI83) 系列
型號 額定功率 (W) 最大工作電壓 (KV) L ±0.5 mm W ±0.5 mm D ±0.5 mm P ±1 mm I ±1 mm T ±0.5 mm t ±0.05 mm
HI83-04 1/4W 10 25 5 4 22.6 20 2 0.6
HI83-02 1/2W 15 35 5 5 32 20 2 0.6
HI83-10 1W 15 30 8 6 27 20 2 0.6
HI83-20 2W 20 45 10 6 42 20 2 0.6
HI83-30 3W 25 60 10 8 59 20 3 1
HI83-50 5W 30 80 20 10 76.5 40 3.5 1
電氣規格 - (HI83)
型號 HI83-04 HI83-02 HI83-10 HI83-20 HI83-30 HI83-50
額定功率 @70°C (W) 1/4W 1/2W 1W 2W 3W 5W
元器件置於空氣中,電壓受限於直流或交流 pk (kv) 6KV 10KV 15KV 15KV 20KV 25KV
電阻值 (Ω) 10K – 1G 50K – 1G 100K – 1G 100K – 1G 100K – 1G 100K – 1G
精度公差 (%) 1, 5
分壓比公差 (%) 0.25, 0.5, 1
TCR (20°C to 70°C) (ppm/°C) 50, 100
Tracking TCR (20°C to 70°C) (ppm/°C) 25, 50
阻值公稱標準值 E24 系列 (R1 + R2) 和 R2
環境溫度範圍 (°C) -55 to +125
絕緣電阻 @500V (Ω) >10G
絕緣強度 (V) >1000
測試規格 (HI83)
測試項目 條件 規格
溫度衝擊 -65°C ~ 155°C 5 次循環。 ΔR ≤ ±(0.2%R + 0.01Ω )
短時間過負載超載 5 倍額定功率,但不超過最大連續工作電壓的 1.5 倍,連續 5 秒鐘。 ΔR ≤ ±(0.2%R + 0.01Ω )
負載壽命 額定功率下 1000 小時。 ΔR ≤ ±(0.5%R + 0.01Ω )
穩態濕熱 40°C,RH≥95%,240 小時。 ΔR ≤ ±(0.4%R + 0.01Ω )

降功耗曲線
降功耗曲線

HI83 無感及玻璃釉膜的蛇形轉印圖案設計 - 先進技術  (HI83) 棒狀玻璃釉膜蛇形圖案設計

無電感量性能特點:

  1. HI83 無感設計,採用了玻璃釉膜蛇形電阻皮膜圖樣設計模式,電阻皮膜可設計為曲折線與通電電流方向相反,
    從而實現在整個電阻長度的最大電通量,及電感量中和互消。
  2. 這種高效率的無電感量設計,不會降額的任何電阻性能優勢,非常適合要求高頻率的產品應用。

蛇形圖案絲印設計:

  1. HI83 型高壓電阻器,精密結合德銘特的厚膜技術 - 無感蛇紋電阻皮膜絲網轉印工藝,將矽樹脂塗層印刷到精密陶瓷基板上。
  2. 採用先進電腦輔助設計 (CAD),將電阻皮膜蛇紋路徑與電阻塗料路徑圖案依電阻值調適到最佳化,提供了一個完整高壓無感電阻器的封裝。
  3. 帽蓋或引線腳焊接組裝,壓入電阻瓷棒兩端,精加工電阻器,以提供堅固的終端電極連接。
示例:
HI83-20 的分壓比為 1:1000,R1 = 99.9MΩ ,R2 = 100KΩ (總 R1 + R2 = 100MΩ),
絕對 TCR 50ppm/°C, 相對 TCR 25ppm/°C,絕對公差 1% 和相對公差 0.5%。
厚膜分壓器 (HI83) - 料號標識
HI83 20 C2C3 100M 100K FD
型號
HI83
Size
04 1/4W
02 1/2W
10 1W
20 2W
30 3W
50 5W
TCR (ppm/°C)
C1C2 絕對 TCR 100ppm
相對 TCR 50ppm
C1C3 絕對 TCR100ppm
相對 TCR 25ppm
C2C3 絕對 50ppm
相對 TCR 25ppm
R1 + R2 (Ω)
100M 99MΩ + 1MΩ
100M 99.9MΩ + 100KΩ
150M 148.5MΩ + 1.5MΩ
R2 (Ω)
1M 1MΩ
100K 100KΩ
1M5 1.5MΩ
阻值公差 (%)
JF 絕對 5%
相對 1%
FD 絕對 1%
相對 0.5%
FC 絕對 1%
相對 0.25%